一种空气压力传感器的气孔孔位结构的制作方法

本技术涉及电子烟，尤其涉及一种用于电子烟的空气压力传感器气孔孔位结构。背景技术：1、电子烟行业中的空气压力传感器是通过对产品外壳顶部吸气孔产生负压，作用在器件内部的微机电传感器上，底部pcb电路板底部的导气孔形成一个大气压力，致使微机电传感器的膜片产生形变，形成负压作用前后的电容量的变化，以实现“气压-电容值”转换，经线材传输给asic芯片处理判断，最后完成对输出雾化器的输出控制。2、现有技术中的空气压力传感器的大气压导气孔在pcb电路板底部（参考专利cn114935425a），pcb电路板需要进行smt印刷，高温回流焊接制程，因为大气压导气孔在底部，极易因为锡珠的飞溅，松香的浸润，导致微机电传感器内部膜片损坏，从而导致器件失效。在空气压力传感器使用过程中，也易有灰尘、水汽、雾化气体、烟油等进入空气压力传感器内部，导致空气压力传感器内部的器件失效。技术实现思路1、本实用新型的目的是为了改善现有技术中空气压力传感器的导气孔位于底部易导致灰尘、水汽、雾化气体进入空气压力传感器内部导致器件失效的问题，而提出的一种空气压力传感器的气孔孔位结构，将导气孔的位置提升，减少空气压力传感器底部的灰尘、水汽、雾化气体、烟油进入气压力传感器。2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种空气压力传感器的气孔孔位结构，通过调整导气孔的孔位形成空气压力传感器的防油、防尘、防水。3、上述空气压力传感器的气孔孔位结构包括至少一个第一导气孔，贯穿空气压力传感器壳体用于连通空气压力传感器内部微机电传感器的感应部和空气压力传感器外部。至少一个第二导气孔，贯穿空气压力传感器壳体用于连通空气压力传感器的内部和吸气端。吸气动作在第二导气孔处产生负压，至少一个第一导气孔进气在空气压力传感器壳体内部形成气压变化，引起微机电传感器电容变化。4、本申请中的第一导气孔不位于空气压力传感器的底面。5、优选的，所述第一导气孔位于空气压力传感器壳体的侧面，第二导气孔位于空气压力传感器的顶面。6、优选的，当第一导气孔位于空气压力传感器壳体的侧面，空气压力传感器壳体于所述第一导气孔的位置设置凹槽，所述凹槽的底部设置膜片气道与微机电传感器的膜片连通；7、所述凹槽的底部设置填封块，所述填封块与凹槽的顶部之间形成第一导气孔，所述第一导气孔与膜片气道连通。8、优选的，所述凹槽的顶面设置坡度，所述填封块的顶部也设置对应的坡度，所述第一导气孔从进气端到膜片气道的连接端呈现上倾状态，形成第一导气孔于空气压力传感器壳体的塑胶部分的下部延伸到侧面。9、优选的，空气压力传感器壳体包括位于顶部的盖板，所述盖板与空气压力传感器的壳体分体设置，盖板用于形成空气压力传感器的壳体顶部的密封，所述第二导气孔位于盖板。10、相比与现有技术，本实用新型的有益效果是：11、1、本空气压力传感器的气孔孔位结构对空气压力传感器的导气孔位置进行调整，使其不处于空气压力传感器的底部，可大大减少锡珠、松香、灰尘、水汽、雾化气体、烟油从导气孔进入气压力传感器，提高防油防尘的效果。12、2、同时，吸气孔设置于空气压力传感器壳体的盖板之上，并在盖板底部于吸气孔位置设置防水网，防水网位于空气压力传感器的内部，不易脱落和被污染，进一步保证防水网的性能和作用。技术特征：1.一种空气压力传感器的气孔孔位结构，包括2.根据权利要求1所述的空气压力传感器的气孔孔位结构，其特征在于，所述第一导气孔位于空气压力传感器壳体的侧面，第二导气孔位于空气压力传感器的顶面。3.根据权利要求2所述的空气压力传感器的气孔孔位结构，其特征在于，空气压力传感器壳体于所述第一导气孔的位置设置凹槽，所述凹槽的底部设置膜片气道与微机电传感器的膜片连通；4.根据权利要求3所述的空气压力传感器的气孔孔位结构，其特征在于，所述凹槽的顶面设置坡度，所述填封块的顶部也设置对应的坡度，所述第一导气孔从进气端到膜片气道的连接端呈现下倾状态。5.根据权利要求1所述的空气压力传感器的气孔孔位结构，其特征在于，所述第一导气孔位于空气压力传感器壳体的顶面。6.根据权利要求1、2、3、4或者5所述的空气压力传感器的气孔孔位结构，其特征在于，空气压力传感器壳体包括位于顶部的盖板，所述盖板与空气压力传感器的壳体分体设置，盖板用于形成空气压力传感器的壳体顶部的密封；技术总结本技术公开了一种空气压力传感器的气孔孔位及防油防尘结构，气孔孔位结构包括分别连通壳体和外部的第一导气孔和第二导气孔，吸气动作在第二导气孔处产生负压，至少一个第一导气孔进气在空气压力传感器壳体内部形成气压变化，引起微机电传感器电容变化，所述第一导气孔不位于空气压力传感器的底面，本技术对空气压力传感器的导气孔位置进行调整，使其不处于空气压力传感器的底部，大大减少器件在使用时，锡珠、松香、灰尘、水汽、雾化气体、烟油从导气孔进入气压力传感器，提高防油防尘的效果、避免微机电传感器芯片被损坏。技术研发人员：刘善进,周卫,刘志庆受保护的技术使用者：长沙大微半导体有限公司技术研发日：20231013技术公布日：2024/6/18