高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床与流程

本发明属于西瓜种植，尤其涉及高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床。背景技术：1、西瓜是一种常见的水果，具有丰富的水分和营养价值。西瓜的种植历史非常悠久，可以追溯到古代中国。最初，西瓜是人们在野外发现的野果，后来被人们带回家中种植。随着社会的发展，西瓜逐渐成为了重要的经济作物。现在，全国各地的农村都在种植西瓜，是农村经济的重要组成部分。在经济效益方面，西瓜种植可以带来可观的经济收入。一方面，西瓜是人们夏季消暑的必备水果，市场需求量大，价格相对较高。另一方面，通过科学的种植技术和现代化的管理手段，可以提高西瓜的生长效果和产量品质，从而提高经济效益。2、西瓜生产种植中最重要的一个元素，就是掌控温度。西瓜生长最佳的温度在25度左右，当气温低于10度时，西瓜进入“冬眠”期停止生长；当气温高于40度时，西瓜进入“夏眠”期也停止生长。3、目前按照现有技术实施，当温度升高至40度以上时存在西瓜座果难、果型小、畸形多、产量低、品质差的缺点。技术实现思路1、为解决现有技术中存在的技术问题，本发明提供高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床。2、依据本发明技术方案的第一方面，提供高温条件下西瓜栽培破眠温床，包括种植单元，在所述种植单元中间设置一条通道并在所述通道两侧设置第一种植带和第二种植带，所述第一种植带下方设置一个长方体第一容置腔室，所述第二种植带下方设置一个长方体第二容置腔室，所述第一容置腔室和第二容置腔室内覆设材质可降解的袋子，所述袋子内填充设置肥料。3、进一步地，所述第一容置腔室和第二容置腔室的宽度为30～40cm，深度为30～40cm。4、进一步地，所述袋子的长度为100cm，宽度为30cm。5、进一步地，所述通道与所述第一种植带、第二种植带之间的距离均为100cm。6、进一步地，所述种植单元的数量为若干个并呈方形阵列设置。7、依据本发明技术方案的第二方面，提供高温条件下西瓜栽培方法，包括如下步骤：8、s1：整地做垄时在种植单元中间搭建通道，在所述通道两侧挖设第一容置腔室和第二容置腔室，将肥料装入可降解材质的袋子后预埋至所述第一容置腔室和第二容置腔室，在所述第一容置腔室和第二容置腔室上方分别覆设第一种植带和第二种植带；9、s2：温度区间为5～20℃时，每株西瓜采用二蔓一果栽培模式；10、s3：温度区间为15～30℃时，西瓜成熟采收后，将部分第一根系剪除，催生第二根系，西瓜再次成熟采收后，将所述第二根系剪除，催生第三根系；11、s4：温度区间为30℃以上时，做好所述第三根系转移生长的准备，每株西瓜的栽培模式由二蔓一果变为多蔓一果；12、s5：在所述种植带上浇灌适量清水，释放肥源，将所述第三根系引导至所述破眠温床。13、进一步地，所述步骤s1中第一容置腔室和第二容置腔室的挖设宽度为30～40cm，深度为30～40cm。14、进一步地，所述步骤s1中装袋选取长度为100cm，宽度为30cm的袋子。15、进一步地，所述步骤s1中在与通道的距离为100cm处挖设第一种植带和第二种植带，所述中第一种植带和第二种植带内的株距为25cm，亩栽640株。16、与现有技术相比较，本发明提供的高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床，具有如下有益效果：17、随着气温的逐步递增，当头茬、二茬西瓜采收完毕后，剪除部分地下老根系，催生新的根系。当大棚地表温度高达60度时，此时地下10cm处的温度为55度；地下20cm处的温度为45度；地下30cm处的温度为30度；此处的温度正是破解西瓜“夏眠”的温度，此时，启用“破眠温床”，浇灌注入适量清水，催化肥料袋降解，释放肥源，抛出诱饵，将新根系定向引入“破眠温床”，为西瓜生长创造良好的生理条件和生长环境，徐徐不断地吸收预埋的养分，源源不断地向藤蔓、叶面输送营养源，促进光合作用，提供西瓜果实生长发育需要的营养，从而解决了高温条件下座果难、果型小、畸形多、产量低、品质差的痛点。技术特征：1.高温条件下西瓜栽培破眠温床，其特征在于，包括种植单元，在所述种植单元中间设置一条通道并在所述通道两侧设置第一种植带和第二种植带，所述第一种植带下方设置一个长方体第一容置腔室，所述第二种植带下方设置一个长方体第二容置腔室，所述第一容置腔室和第二容置腔室内覆设可降解材质的袋子，所述袋子内填充设置肥料。2.如权利要求1所述的高温条件下西瓜栽培破眠温床，其特征在于，所述第一容置腔室和第二容置腔室的宽度为30～40cm，深度为30～40cm。3.如权利要求1所述的高温条件下西瓜栽培破眠温床，其特征在于，所述袋子的长度为100cm，宽度为30cm。4.如权利要求1所述的高温条件下西瓜栽培破眠温床，其特征在于，所述通道与所述第一种植带、第二种植带之间的距离均为100cm。5.如权利要求1至4任一项所述的高温条件下西瓜栽培破眠温床，其特征在于，所述种植单元的数量为若干个并呈方形阵列设置。6.高温条件下西瓜栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：7.如权利要求6所述的高温条件下西瓜栽培方法，其特征在于，所述步骤s1中第一容置腔室和第二容置腔室的挖设宽度为30～40cm，深度为30～40cm。8.如权利要求6所述的高温条件下西瓜栽培方法，其特征在于，所述步骤s1中装袋选取长度为100cm，宽度为30cm的袋子。9.如权利要求6至8中任一项所述的高温条件下西瓜栽培方法，其特征在于，所述步骤s1中在与通道的距离为100cm处挖设第一种植带和第二种植带，所述中第一种植带和第二种植带内的株距为25cm，亩栽640株。技术总结本发明涉及高温条件下西瓜栽培方法及破眠温床，包括种植单元，在所述种植单元中间设置一条通道并在所述通道两侧设置第一种植带和第二种植带，所述第一种植带下方设置一个长方体第一容置腔室，所述第二种植带下方设置一个长方体第二容置腔室，所述第一容置腔室和第二容置腔室内覆设可降解材质的袋子，所述袋子内填充设置肥料，本发明在不改变常规和传统栽培模式的基础上，在不柝大棚、不打破避雨栽培的情况下，具有在高温条件实现西瓜易座果、提高产量，产出优质西瓜的优点。技术研发人员：朱龙舟,朱蓓,朱春荣,朱林杰受保护的技术使用者：上海南汇瓜果有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/7