基于场效应晶体管的阈值电压差的参考电压发生

本公开的各方面整体涉及参考电压发生器，并且具体地，涉及基于场效应晶体管(fet)的阈值电压差的参考电压发生器。背景技术：1、参考电压发生器用于多种电路(诸如模拟电路)中，以在宽温度范围内提供基本与温度无关的参考电压。过去，参考电压发生器主要被设计为带隙电压发生器，该带隙电压发生器通过平衡并组合与绝对温度成比例(ptat)的电流和与绝对温度互补(ctat)的电流以产生基本与温度无关的电流，来产生基本与温度无关的参考电压。然后，将通过电阻器路由该与温度无关的电流，以产生该基本与温度无关的参考电压。这种带隙参考电压发生器的精度将取决于ptat和ctat电流的平衡，这实现起来可能困难且复杂。技术实现思路1、以下内容呈现了对一个或多个具体实施的简要概括，以便提供对这样的具体实施的基本的理解。该概括不是对全部设想的具体实施的详尽概述，并且不旨在标识全部具体实施的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或全部具体实施的范围。其唯一的目的是以简化的形式介绍一个或多个具体实施的一些概念，作为随后介绍的更详细的描述的序言。2、本公开的一方面涉及一种参考电压发生器。该参考电压发生器包括：第一场效应晶体管(fet)，该第一场效应晶体管(fet)包括第一阈值电压；第二fet，该第二fet包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压；栅极电压发生器，该栅极电压发生器耦合到该第一fet和该第二fet的栅极；第一电流源，该第一电流源与该第一fet串联耦合在第一电压轨与第二电压轨之间；第二电流源；和第一电阻器，该第一电阻器与该第二电流源和该第二fet串联耦合在该第一电压轨与该第二电压轨之间，其中在该第一电阻器两端产生参考电压。3、本公开的另一方面涉及一种产生参考电压的方法。该方法包括：通过包括第一阈值电压的第一场效应晶体管(fet)产生第一电流；通过包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压的第二fet产生第二电流；以及通过第一电阻器路由该第二电流以在该第一电阻器两端产生该参考电压。4、本公开的另一方面涉及一种用于产生参考电压的方法。该装置包括：用于通过包括第一阈值电压的第一场效应晶体管(fet)产生第一电流的构件；用于通过包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压的第二fet产生第二电流的构件；和用于通过第一电阻器路由该第二电流以在该第一电阻器两端产生该参考电压的构件。5、本公开的另一方面涉及一种无线通信设备。该无线通信设备包括一个或多个信号处理核心；至少一个天线；和收发器，该收发器耦合到该一个或多个信号处理核心和该至少一个天线，其中该收发器包括参考电压发生器，该参考电压发生器包括：第一场效应晶体管(fet)，该第一场效应晶体管(fet)包括第一阈值电压；第二fet，该第二fet包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压；栅极电压发生器，该栅极电压发生器耦合到该第一fet和该第二fet的栅极；第一电流源，该第一电流源与该第一fet串联耦合在第一电压轨与第二电压轨之间；第二电流源；和第一电阻器，该第一电阻器与该第二电流源和该第二fet串联耦合在该第一电压轨与该第二电压轨之间，其中在该第一电阻器两端产生参考电压。6、为了实现前述目的和相关目的，一个或多个具体实施包括下文中充分地描述的以及在权利要求中具体指出的特征。以下描述和所附插图详细阐述了这一个或多个具体实施的某些例示性方面。然而，这些方面仅仅是指示了可采用各个具体实施的原理的各种方式中的若干种，并且说明书具体实施旨在包括所有此类方面及其等效方案。技术特征：1.一种参考电压发生器，所述参考电压发生器包括：2.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器包括：3.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器包括运算放大器，所述运算放大器包括：4.根据权利要求3所述的参考电压发生器，所述参考电压发生器还包括第二电阻器，所述第二电阻器耦合在所述第一节点与所述第一fet之间。5.根据权利要求4所述的参考电压发生器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器的电阻基本相同。6.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述第一电流源和所述第二电流源耦合在一起以形成电流镜。7.根据权利要求6所述的参考电压发生器，其中所述电流镜的电流比是m:n，其中m不同于n。8.根据权利要求6所述的参考电压发生器，其中所述电流镜的电流比基本上是一比一。9.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述第一电流源和所述第二电流源分别包括第三fet和第四fet。10.根据权利要求9所述的参考电压发生器，其中所述第三fet和所述第四fet的栅极耦合在一起，并且耦合到所述第三fet的漏极。11.根据权利要求9所述的参考电压发生器，其中所述第一fet和所述第二fet中的每一者是n沟道金属氧化物半导体(nmos)fet，并且其中所述第三fet和所述第四fet中的每一者是p沟道金属氧化物半导体(pmos)fet。12.根据权利要求9所述的参考电压发生器，其中所述第一fet和所述第二fet中的每一者是p沟道金属氧化物半导体(pmos)fet，并且其中所述第三fet和所述第四fet中的每一者是n沟道金属氧化物半导体(nmos)fet。13.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器被配置为向所述第一fet和所述第二fet提供栅极电压，以在亚阈值区中操作所述第一fet和所述第二fet。14.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述第一阈值电压大于所述第二阈值电压。15.一种产生参考电压的方法，所述方法包括：16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一电流基本等于所述第二电流。18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一电流不同于所述第二电流。19.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：20.根据权利要求15所述的方法，其中所述参考电压在约-40摄氏度至120摄氏度的温度范围内基本与温度无关。21.一种用于产生参考电压的装置，所述装置包括：22.根据权利要求21所述的装置，其中所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。23.根据权利要求21所述的装置，其中所述第一电流基本等于所述第二电流。24.根据权利要求21所述的装置，其中所述第一电流不同于所述第二电流。25.根据权利要求21所述的装置，所述装置还包括：26.一种无线通信设备，所述无线通信设备包括：27.根据权利要求26所述的无线通信设备，其中所述栅极电压发生器包括运算放大器，所述运算放大器包括：28.根据权利要求27所述的无线通信设备，所述无线通信设备还包括第二电阻器，所述第二电阻器耦合在所述第一节点与所述第一fet之间。29.根据权利要求27所述的无线通信设备，其中所述第一电流源和所述第二电流源耦合在一起以形成电流镜。30.根据权利要求29所述的无线通信设备，其中所述电流镜的电流比基本上是一比一。技术总结本公开的一方面涉及一种参考电压发生器，该参考电压发生器包括：第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管(FET)包括第一阈值电压；第二FET，该第二FET包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压；栅极电压发生器，该栅极电压发生器耦合到该第一FET和该第二FET的栅极；第一电流源，该第一电流源与该第一FET串联耦合在第一电压轨与第二电压轨之间；第二电流源；和第一电阻器，该第一电阻器与该第二电流源和该第二FET串联耦合在该第一电压轨与该第二电压轨之间，其中在该第一电阻器两端产生参考电压。技术研发人员：D·巴塔,S·李,S·赵,H·王,J·阿布卡刘斯受保护的技术使用者：高通股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/16