蚀刻方法和等离子体处理装置与流程

本公开的例示性的实施方式涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。背景技术：1、专利文献1公开了一种通过使用从处理气体生成的等离子体对有机膜进行蚀刻来在有机膜形成开口的方法。处理气体包含氧气、氮气或氢气等蚀刻气体以及硫化羰(cos)。2、现有技术文献3、专利文献4、专利文献1：日本特开2010-109373号公报技术实现思路1、发明要解决的问题2、本公开提供一种能够抑制通过蚀刻形成的凹部的侧壁的形状不良的蚀刻方法和等离子体处理装置。3、用于解决问题的方案4、在一个例示性的实施方式中，蚀刻方法包括：工序(a)，提供具备有机膜和所述有机膜上的掩模的基板；工序(b)，通过利用从包含含氧气体的第一处理气体生成的第一等离子体对所述有机膜进行蚀刻，来在所述有机膜形成凹部；以及工序(c)，在所述工序(b)之后，使所述凹部暴露在从包含含钨气体的第二处理气体生成的第二等离子体中。5、发明的效果6、根据一个例示性的实施方式，提供一种能够抑制通过蚀刻形成的凹部的侧壁的形状不良的蚀刻方法和等离子体处理装置。技术特征：1.一种蚀刻方法，包括：2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，5.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，7.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，9.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，10.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，11.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，12.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，13.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，14.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，15.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，16.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，17.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，18.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，19.一种等离子体处理装置，具备：20.一种蚀刻方法，包括：技术总结一种蚀刻方法，包括：工序(a)，提供具备有机膜和有机膜上的掩模的基板；工序(b)，通过利用从包含含氧气体的第一处理气体生成的第一等离子体对有机膜进行蚀刻，来在有机膜形成凹部；以及工序(c)，在工序(b)之后，使凹部暴露在从包含含钨气体的第二处理气体生成的第二等离子体中。技术研发人员：向山广记,户村幕树,木原嘉英受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/16