基于MOSfet管的防反与尖峰抑制电路的制作方法

本发明涉及mosfet技术，具体涉及一种基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路。背景技术：1、现有技术提供的基于mos管的防反与尖峰抑制电路如图1，其核心技术在于利用mos管作为开关器件，结合分压电路、二极管d1、电容c1等外围元件，实现电源的防反接与尖峰抑制双重功能。具体而言：电路通过mos管的开关特性，当输入端输入反向电压时，mos管因vgs为负值而无法导通，阻止反向电压到达用电设备端，保护设备免受反向电压损坏。电容c1作为延时电容，当其两端电压达到mos管的开启电压时，mos管开始导通。通过延时电容的作用，可以削弱电压、电流尖峰，实现尖峰抑制。分压电路为mos管提供合适的vgs电压，二极管d1进一步稳定vgs电压，确保mos管在低阻抗区工作，有利于尖峰抑制。2、不过现有这种电路设置太简单，实际应用中存在很多的技术问题，包括：对mos管参数敏感：防反接与尖峰抑制性能与所选mos管的阈值电压、导通电阻、开关速度等参数密切相关。不同批次或厂家的mos管存在参数差异，导致实际应用中防反接与尖峰抑制效果不稳定。3、分压电路复杂度与成本：分压电路包含多个串联电阻(r1-r6)，增加了电路复杂度和成本。若要确保mos管工作在理想状态，需要精确设计和匹配这些电阻值，增加了设计难度和生产成本。4、二极管d1选择与性能：不同稳压二极管的稳压性能、响应速度、功耗等特性各异，影响整体电路的防反接与尖峰抑制效果。此外，稳压二极管自身也出现故障或老化，影响电路性能。5、电容c1参数选择：电容c1作为延时电容，其容量大小直接影响延时时间(即mos管导通时间)和尖峰抑制效果。选择不当导致尖峰抑制效果不佳或影响电路的动态响应性能。技术实现思路1、本发明的目的在于提供一种基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，以解决上述背景技术中提出的问题。2、为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：3、本发明公开了基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，包括智能控制器、mosfet管和可编程延时电容，智能控制器与mosfet管栅极之间通过一个自适应分压电路相连，自适应分压电路的阻值可以根据需要进行调整，mosfet管栅极串联自适应分压电路后与电源正极相连；4、mosfet管栅极与可编程延时电容一端相连，可编程延时电容另外一端与mosfet管的一个非栅极端相连，mosfet管栅极与智能选择与监控二极管一端相连，智能选择与监控二极管另外一端与mosfet管的一个非栅极端相连，mosfet管的两个非栅极端串联在电源输入端负极与电源输出端负极之间；智能控制器还与mosfet管、可编程延时电容、智能选择与监控二极管相连。5、优选地，智能控制器采用集成微控制器或数字信号处理器，用于实时监测mos管的vgs电压参数，并根据预设策略或自学习算法动态调整电路参数。6、优选地，自适应分压电路采用可调电阻或数字电位器，通过智能控制器控制自适应分压电路阻值，实现分压电路的自动优化。7、优选地，智能选择与监控二极管采用智能二极管选择器。8、优选地，可编程延时电容采用数字电容或可编程电容阵列，通过智能控制器设置可编程延时电容容量，实现电容延时时间的精确控制和动态调整。9、优选地，实时监测mos管的vgs电压参数，并根据预设策略或自学习算法动态调整电路参数包括过程：通过连接在mos管栅源极之间的分压电路和adc，实时采集mos管的vgs电压；10、mcu或dsp对接收到的vgs数值进行分析，判断mos管当前的工作状态是否正常；根据预定义的规则或算法，mcu或dsp决定如何调整电路参数以优化mos管的工作状态；11、mcu或dsp通过控制接口发送指令给可调电阻或数字电位器，调整其阻值以实现目标vgs电压，和/或mcu或dsp通过智能二极管选择器接口选择最适宜的二极管，并监测其状态，若检测到二极管故障或老化，触发报警并执行备用二极管切换，和/或通过接口设定数字电容或可编程电容阵列的容量值，实现延时时间的精确控制和动态调整。12、与现有技术相比，本发明的有益效果：13、本申请的基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路通过智能化、自适应的设计，显著提升了系统的稳健性、适应性、防反接与尖峰抑制性能，简化了设计与制造过程，降低了成本，并实现了智能化故障诊断与管理，以及数据驱动的持续优化，具有较高的实用价值和技术优势。技术特征：1.基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，其特征在于，包括智能控制器、mosfet管和可编程延时电容，智能控制器与mosfet管栅极之间通过一个自适应分压电路相连，自适应分压电路的阻值可以根据需要进行调整，mosfet管栅极串联自适应分压电路后与电源正极相连；2.根据权利要求1所述的基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，其特征在于，智能控制器采用集成微控制器或数字信号处理器，用于实时监测mos管的vgs电压参数，并根据预设策略或自学习算法动态调整电路参数。3.根据权利要求1所述的基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，其特征在于，自适应分压电路采用可调电阻或数字电位器，通过智能控制器控制自适应分压电路阻值，实现分压电路的自动优化。4.根据权利要求1所述的基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，其特征在于，智能选择与监控二极管采用智能二极管选择器。5.根据权利要求1所述的基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，其特征在于，可编程延时电容采用数字电容或可编程电容阵列，通过智能控制器设置可编程延时电容容量，实现电容延时时间的精确控制和动态调整。6.根据权利要求2所述的基于mosfet管的防反与尖峰抑制电路，其特征在于，实时监测mos管的vgs电压参数，并根据预设策略或自学习算法动态调整电路参数包括过程：通过连接在mos管栅源极之间的分压电路和adc，实时采集mos管的vgs电压；技术总结本发明公开一种基于MOSfet管的防反与尖峰抑制电路，其包括智能控制器、MOSFet管和可编程延时电容，智能控制器与MOSFet管栅极之间通过一个自适应分压电路相连，自适应分压电路的阻值可以根据需要进行调整，MOSFet管栅极串联自适应分压电路后与电源正极相连；MOSFet管栅极与可编程延时电容一端相连，可编程延时电容另外一端与MOSFet管的一个非栅极端相连，MOSFet管栅极与智能选择与监控二极管一端相连，智能选择与监控二极管另外一端与MOSFet管的一个非栅极端相连，MOSFet管的两个非栅极端串联在电源输入端负极与电源输出端负极之间；智能控制器还与MOSFet管、可编程延时电容、智能选择与监控二极管相连。技术研发人员：肖志强受保护的技术使用者：深圳市芯联芯电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/16