一种IC芯片退金液及其制备方法与流程

本发明涉及半导体芯片制备领域，具体来说是半导体芯片制备过程涉及到的一种ic芯片退金液及其制备方法。背景技术：1、半导体芯片制程中，金属焊盘可实现芯片内部之间及内部与外部的电气连接。金线键合工艺是一种在半导体封装中广泛使用的技术，主要用于连接集成电路(ic)芯片的金属焊盘与其它电子组件，这种技术利用极细的金线，通过精密的机械和热力工艺，实现电子元件间的牢固连接。使用键合机的热头或超声波头将金线的一端压附在焊盘上，形成第一个焊点，机械臂拉伸金线至下一个连接点，在连接的下一个组件上形成第二个焊点。2、当ic芯片在制造、封装或使用过程中出现故障，导致无法正常使用或设备功能异常，就需要进行芯片返修测试诊断，再重新封装投入使用。其中就需要对键合的金线进行去除，目前去除金线的方法有机械拆除法和化学药水法。机械拆除法操作简单但易残留焊点、损伤金属焊盘；传统化学药水难以避免金属焊盘表面腐蚀问题，尤其是al的成分占90％以上的金属焊盘，腐蚀现象比ag基金属焊盘更为严重，金属焊盘表面会出现分布不规则的小凹坑，腐蚀现象非常明显。在后续的封装工艺中，将存在腐蚀的金属焊盘与封装引脚进行连接时，容易增大失效率，即金属焊盘未与封装引脚形成导电性连接或金属焊盘与封装引脚之间接触不良，导致后续芯片封装的良率降低，因此如何在返修芯片的al基金属焊盘上去除残留的金而不损伤金属焊盘成为行业难题。技术实现思路1、为了在返修芯片的金属焊盘上去除残留的金且不损伤金属焊盘，本发明提供一种ic芯片退金液及其制备方法。2、本发明技术方案提供一种ic芯片退金液，其中含有质量分数的如下物质：络合剂0.02％～1％、增溶剂2％～8％、缓蚀剂15~33%、余量为溶剂。3、络合剂为：氰化锌、氰化钠、氰化钾、氰化钙和氰化镁中的一种或任意组合,0.02％～1％;4、增溶剂为：甲醇、乙醇、异丙醇、丙三醇、乙醚、二乙醇单丁醚、短链苯磺酸盐和烷基磷酸酯中的一种或任意组合, 2％～8％;5、缓蚀剂为吸附型有机缓蚀剂，具体为：十二烷基磺酸钠、苯甲酸钠、苯并三氮唑、吡啶酮和乙醇胺中的一种或任意组合, 15%~33%;6、溶剂为：二甲基亚砜、四氢呋喃、乙酸异丙酯、二甲基甲酰胺和丙二醇中的一种或任意组合, 49%~77%。7、本发明的ic芯片退金液的制备方法如下：8、a.称取比例质量份缓蚀剂和溶剂，使用均质机搅拌混合均匀；9、b.向上述搅拌混合均匀体系加入配比质量份络合剂，使用均质机搅拌混合均匀；10、c.向上述搅拌混合均匀体系中加入配比质量份增溶剂，搅拌混合均匀。11、本发明提供的退金液利用氰化物来溶解ic芯片中的金，这一过程基于金与氰化物之间的化学反应，生成金氰化物复合物。同时缓蚀剂和溶剂保护金属焊盘不受腐蚀。本发明中缓蚀剂为吸附型有机缓蚀剂，在腐蚀介质中对金属表面有良好的吸附性，它们具有极性基团，可被金属的表面电荷吸附，在整个阳极和阴极区域形成一层致密的单分子膜，阻止或减缓了相应的原电池效应。而增溶剂（甲醇等）则由形成的非极性基团阻挡在保护膜外部，以隔离对金属的进一步腐蚀，增溶剂增加了有机添加剂的溶解性，同时也使得金表面产物更容易扩散，从而使得退金后的表面更均匀，溶剂促进氰化物的溶解，也避免了al基金属焊盘的腐蚀。12、本发明的有益效果在于，在返修芯片的金属焊盘上去除残留的金而不损伤金属焊盘，络合剂、增溶剂、缓蚀剂、溶剂协同作用通过增强药液的溶解性和浸润性，使得金表面产物更容易扩散，获得稳定的退金速率和均一的退金表面。技术特征：1.一种ic芯片退金液，其特征在于，所述的ic芯片退金液包含有质量分数的如下物质：络合剂 0.02％～1％、增溶剂2％～8％、缓蚀剂15~33%、余量为溶剂。2.如权利要求1所述的ic芯片退金液，其特征在于，所述的络合剂为氰化锌、氰化钠、氰化钾、氰化钙和氰化镁中的一种或任意组合。3.如权利要求1所述的ic芯片退金液，其特征在于，所述的增溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、丙三醇、乙醚、二乙醇单丁醚、短链苯磺酸盐和烷基磷酸酯中的一种或任意组合。4.如权利要求1所述的ic芯片退金液，其特征在于，所述的缓蚀剂为十二烷基磺酸钠、苯甲酸钠、苯并三氮唑、吡啶酮和乙醇胺中的一种或任意组合。5.如权利要求1所述的ic芯片退金液，其特征在于，所述的溶剂为二甲基亚砜、四氢呋喃、乙酸异丙酯、二甲基甲酰胺和丙二醇中的一种或任意组合。6.如权利要求1所述的ic芯片退金液的制备方法，其特征在于，所述的制备方法如下：技术总结一种IC芯片退金液及其制备方法，为了在返修芯片的金属焊盘上去除残留的金且不损伤金属焊盘，本发明技术方案提供一种IC芯片退金液，其中含有质量分数的如下物质：络合剂0.02％～1％、增溶剂2％～8％、缓蚀剂15~33%、余量为溶剂。本发明的有益效果在于，在返修芯片的金属焊盘上去除残留的金而不损伤金属焊盘，络合剂、增溶剂、缓蚀剂、溶剂协同作用通过增强药液的溶解性和浸润性，使得金表面产物更容易扩散，获得稳定的退金速率和均一的退金表面。技术研发人员：帅和平,万涛明,肖静文,李淑晶受保护的技术使用者：深圳市瑞世兴科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/16