一种超声波高压有机褪膜方法与流程

本发明涉及ics msap工艺，尤其涉及一种超声波高压有机褪膜方法。背景技术：1、msap，改良型半加成法(modified semi-additiveprocess)，是制备细线路的主要工艺之一，采用极薄基铜作为底铜，通过图形电镀加厚线路，褪膜后再把底铜蚀刻掉。这种技术不按通常方式在印制电路板或半导体封装载板的铜层上蚀刻出用于传导信号的导电路径，相反，它只在印制电路板上真正需要的地方使用导电材料，这样可以使信号线布线更为紧密，导电路径之间的距离更短。通过msap技术，可以生产尺寸和复杂性堪比半导体行业产品的印制电路板和半导体封装载板。2、msap常规流程是：减铜-钻孔-desamear/pth-压膜-曝光-显影-镀铜-褪膜-快速蚀刻。用干膜将不需要的线路覆盖，然后在覆铜板的超薄铜箔上镀铜加厚所需要的线路，再通过闪蚀工艺将不需要的线路快速去除，以获得最后的导电线路。褪膜是msap中一个重要步骤，即褪去干膜。干膜(dry film)，是一种高分子化合物，它通过紫外线的照射后会产生聚合反应，由单体合成聚合物的反应过程形成一种稳定的物质附着于基板板面，从而达到阻挡电镀和蚀刻的功能。3、目前市面上普通msap褪膜设备工艺流程的问题及解决对策有如下几种。4、现有技术中方式一：采用氢氧化钠添加普通褪膜液用喷淋(正沖)→冲污水的方式去除贴上的干膜。如图3所示，纯碱系统的氢氧根使铜与干膜发生介面剥离，介面剥离后，干膜因脱水，顔色淡化，体积膨胀受冲力带离板面。5、现有技术中方式二：采用有机褪膜液喷淋(正沖)→冲污水→喷淋的方式去除贴上的干膜。如图4所示。有机褪膜液(有机胺系统)使干膜产生膨胀，但trace(线)间的空间有限，迫使干膜因挤压产生破碎。6、随着高密度的pcb需求不断增加，对高精细线路，线宽/间距50/50um、30/30um、15/15um、10/10um等线宽要求已经逐渐形成趋势，现有的msap褪膜工艺褪膜不净、线路灼伤、夹膜、残留、褪膜时间长，在一定程度上无法达到干膜分离及膜碎完全可控。技术实现思路1、为了解决普通界面剥离的褪膜工艺后褪膜不净、线路灼伤、夹膜、残留、褪膜时间长的技术问题，本发明公开了一种超声波高压有机褪膜方法，能够快速、彻底地褪掉干膜，退膜干净，无夹膜残留现象，水洗性好、表面残留少，减少对下道工序的影响。2、为实现上述技术目的，本发明的技术方案是，一种超声波高压有机褪膜方法，将完成了镀铜工序以后的基板，①用有机褪膜工作液超声浸泡，②再经超声波喷淋水洗，③再用高压喷淋冲洗，④清洗干净，⑤进入蚀刻工序。3、优选的，所述有机褪膜工作液为包含乙醇胺和四甲基氢氧化铵的至少两种有机褪膜液的组合。4、优选的，所述超声浸泡时间为60～120秒。超声波浸泡的功能就是剥膜。5、优选的，所述超声波喷淋水洗时间为60～120秒。优选的，水洗为热水洗。6、优选的，所述高压喷淋冲洗时间为60～120秒。7、优选的，所述①②③④步骤可循环或重复操作，至清洗干净为止。8、优选的，所述超声波采用28khz高频震荡。9、优选的，所述高压喷淋冲洗为4kg/cm2高压。10、本发明的原理如图1所示，包含有机胺的有机褪膜工作液系统，其中的tmah(四甲基氢氧化铵)使mea(乙醇胺)渗透于干膜中，mea的氢氧根造成monomer(高分子化合物单体)断键，使干膜产生膨润。干膜膨润，但trace(线)间的空间有限，通过超声波高频震荡提高渗透率迫使干膜因挤压产生破碎，同时以超声波高频震荡，微细粉碎化产生游离并脱离，再以高压冲洗干净。11、本发明利用有机褪膜液配合超声波高压的方法，通过化学反应产生游离外加超声波震动高压的方式，将覆盖在铜表面的干膜进行超声波挤压形成碎膜并经过超声波热水清洗清除干净。12、本文所述褪膜方法在镀铜工序与快速蚀刻工序之间，将在压膜工艺时贴上的经过曝光工艺、显影工艺后未显影去除仍保留在铜面上进行保护不镀铜区域的干膜褪膜露出，以便快速蚀刻进行咬蚀掉，形成镀铜线路。13、本发明以有机褪膜结合超声波高压，对msap图形电镀后以有机褪膜结合超声波高压的方法改良褪膜良率，通过机械和化学的方式将覆盖在铜表面的干膜清除干净，可以完全改善铜面洁净性解决褪膜不净、渗透不良、夹膜、残膜的问题。技术特征：1.一种超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述方法为：将完成了镀铜工序以后的基板，①用有机褪膜工作液超声浸泡，②再经超声波喷淋水洗，③再用高压喷淋冲洗，④清洗干净，⑤进入蚀刻工序。2.如权利要求1所述的超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述有机褪膜工作液为包含乙醇胺和四甲基氢氧化铵的至少两种有机褪膜液的组合。3.如权利要求1所述的超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述超声浸泡时间为60～120秒。4.如权利要求1所述的超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述超声波喷淋水洗时间为60～120秒。5.如权利要求1所述的超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述高压喷淋时间为60～120秒。6.如权利要求1所述的超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述①②③④步骤可循环或重复操作，至清洗干净为止。7.如权利要求1所述的超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述超声波采用28khz高频震荡。8.如权利要求1所述的超声波高压有机褪膜方法，其特征在于，所述高压喷淋冲洗为4kg/cm2高压。技术总结本发明提供一种超声波高压有机褪膜方法，所述方法为：将完成了镀铜工序以后的基板，①用有机褪膜工作液浸泡，②再经超声波浸泡喷淋，③再用高压喷淋冲洗，④清洗干净，⑤进入蚀刻工序。本发明以有机褪膜结合超声波高压，对mSAP图形电镀后以有机褪膜结合超声波高压的方法改良褪膜良率，通过机械和化学的方式将覆盖在铜表面的干膜清除干净，可以完全改善铜面洁净性解决褪膜不净、渗透不良、夹膜、残膜的问题。技术研发人员：吴勇军受保护的技术使用者：易东科技（清远）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/16