一种存储系统及其操作方法与流程

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种存储系统及其操作方法。背景技术：1、相变存储器(phase-change memory，pcm)器件中非晶相的稳定性可能受到温度激活结晶和由于结构弛豫引起的电阻漂移的影响。因此，可能会出现阈值电压漂移，从而影响pcm器件的寿命和可靠性。技术实现思路1、本公开实施例提出一种存储系统及其操作方法。2、第一方面，本公开实施例提供一种存储系统，包括：存储器件，所述存储器件包括多个存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器耦合到所述存储器件并且被配置为：以预设尺寸为单位进行磨损值的统计；确定所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值是否满足预设磨损条件；响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节对所述存储器件进行读取操作的读取电压。3、在一种可选的实施方式中，所述预设磨损条件为所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值超过预设磨损阈值。4、在一种可选的实施方式中，所述存储器控制器被配置为：响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，减小对所述存储器件进行读取操作的读取电压；所述预设磨损阈值与所述读取电压呈负相关。5、在一种可选的实施方式中，所述存储器控制器被配置为：响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节所述预设尺寸。6、在一种可选的实施方式中，所述存储器控制器被配置为：响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，增大所述预设尺寸；所述预设磨损阈值与所述预设尺寸呈正相关。7、在一种可选的实施方式中，所述存储器控制器被配置为：基于磨损参数确定所述磨损值；所述磨损参数包括以下至少一项：擦除次数、写入次数、读取次数。8、在一种可选的实施方式中，所述存储器件包括相变存储器(pcm)器件，所述多个存储单元中的每一个存储单元包括pcm单元。9、第二方面，本公开实施例提供一种存储系统，包括：存储器件，所述存储器件包括多个存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器耦合到所述存储器件并且被配置为：以预设尺寸为单位进行磨损值的统计；确定所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值是否满足预设磨损条件；响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节所述预设尺寸。10、第三方面，本公开实施例提供一种存储系统的操作方法，所述存储系统包括存储器件，所述存储器件包括多个存储单元，所述方法包括：以预设尺寸为单位进行磨损值的统计；确定所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值是否满足预设磨损条件；响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节对所述存储器件进行读取操作的读取电压。11、在一种可选的实施方式中，所述方法还包括：响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节所述预设尺寸。12、本公开实施例提供了一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：存储器件，所述存储器件包括多个存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器耦合到所述存储器件并且被配置为：以预设尺寸为单位进行磨损值的统计；确定所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值是否满足预设磨损条件；响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节对所述存储器件进行读取操作的读取电压。本公开提供的方案中根据以预设尺寸为单位统计得到的磨损值来确定对应的读取电压，可以有效提高读取电压的调整精度，保证系统的性能。技术特征：1.一种存储系统，其特征在于，包括：2.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，3.根据权利要求2所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：4.根据权利要求1至3任一所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：5.根据权利要求4所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：6.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：7.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，8.一种存储系统，其特征在于，包括：9.一种存储系统的操作方法，其特征在于，所述存储系统包括存储器件，所述存储器件包括多个存储单元，所述方法包括：10.根据权利要求9所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：技术总结本公开实施例提供了一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：存储器件，所述存储器件包括多个存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器耦合到所述存储器件并且被配置为：以预设尺寸为单位进行磨损值的统计；确定所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值是否满足预设磨损条件；响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节对所述存储器件进行读取操作的读取电压。技术研发人员：周光乐,杨海波,刘峻受保护的技术使用者：新存科技（武汉）有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/8/16